Каталоги
Для этого продукта каталогов нет.
Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.
Технические характеристики
Этот массивный фотодиод 4X16 Гбит/с Чип с подсветкой сверху и фотодиодным PIN-чипом с мезаструктурой и высокой скоростью передачи данных, размер активной области составляет Φ32 мкм. Его особенностями являются высокая чувствительность, низкая емкость, низкий темновой ток и превосходная надежность, в основном в сочетании с высокопроизводительными четырехканальными трансимпедансными усилителями 4X16 Гбит/с (TIA), приложениями с длинными волнами, высокой скоростью передачи данных до 4X16 Гбит/с с одномодовым оптоволоконным приемником. Имеет активную площадь Φ32 мкм. Структура контактной площадки Земля-Сигнал-Земля (GSG), массив 4X16 Гбит/с. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность. Скорость передачи данных: ≤16 Гбит/с/канал. Шаг кристалла: 250 мкм. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям, указанным Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения 4X16 Гбит/с CWDM CFP 40 Гбит/с SFP+ LR4 Параллельное оптическое соединение
