Каталоги
Для этого продукта каталогов нет.
Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.
Технические характеристики
Этот массив 4X25 Гбит/с 100 Гбит/с фотодиодный чип с верхней подсветкой и мезаструктурой с высокой скоростью передачи данных цифровой PIN-фотодиодный чип, размер активной области составляет Φ32 мкм. Его особенностями являются высокая, низкая емкость, низкий темновой ток и превосходная надежность, в основном в сочетании с высокопроизводительными четырехканальными трансимпедансными усилителями 4X25 Гбит/с (TIA), применение в приложениях с длинными волнами, высокая скорость передачи данных до 4X25 Гбит/с с одномодовым оптоволоконным приемником. Имеет активную площадь Φ32 мкм. Структура контактной площадки Земля-Сигнал-Земля (GSG), массив 4X25G. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность. Тип Пропускная способность: 16 ГГц. Шаг кристалла: 250 мкм. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям, указанным Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения IEEE 100 Gigabit Ethernet. 100G CWDM4, PSM4, CLR4. Ссылки 100G (4X25 Гбит/с). Одномодовая передача данных и телекоммуникации. Оптоволоконные трансиверы, приёмники и транспондеры.
