Изготовление МОП-транзисторов, IGBT и других компонентов для высокотемпературной и высокочастотной силовой электроники, используемой в электрических и гибридных транспортных средствах, а также в аэрокосмической технике.
Наши проводящие подложки SiC сочетают в себе низкое удельное сопротивление и низкую плотность дефектов. , высокая однородность, превосходное качество кристалла и высокая теплопроводность позволяют создавать устройства с низким рассеиванием мощности, высокочастотной работой и хорошей термической стабильностью.
Технические характеристики
Свойства материала карбида кремния n-типа | |
Физические характеристики | |
Структура | Шестиугольная, монокристалл |
Диаметр | До 200 мм |
Сорты | Prime, Development, Mechanical |
Тепловые свойства | |
Теплопроводность | 370 (Вт/мК) при комнатной температуре |
Коэффициент термического расширения | 4,5 x 10-6/K |
Удельная теплоемкость (25°C) | 0,71 (Дж/г°C) |
Дополнительные ключевые свойства когерентных подложек SiC (типичные значения) | |
Параметр | N-type |
Политип | 4H |
Допанта | Азот |
Удельное сопротивление | ~0,02 Ом-см |
Ориентация | 4° от оси |
Шероховатость, Ra | <,5Å |
Плотность дислокаций | ~3000 см-2 |
Плотность микротрубок | <, 0,1 см-2 |
