QPD1017 представляет собой дискретный GaN на SiC HEMT мощностью 450 Вт (P3дБ) с внутренним согласованием, работающий в диапазоне от 3,1 до 3,5 ГГц и шиной питания 50 В. Устройство представляет собой GaN IMFET, полностью согласованный с сопротивлением 50 Ом, в стандартном корпусе с воздушной полостью и идеально подходит для военных радаров.
Соответствует требованиям ROHS.
Оценочные платы доступны по запросу.
Технические характеристики
| Номер детали: QPD1017 |
| Производитель: Qorvo |
| Статус экспорта: |
| Мин. частота: 3,1 ГГц |
| Максимальная частота: 3,5 ГГц |
| Выходная мощность: 450 Вт |
| Усиление: 16,5 дБ |
| % Типовая эффективность: 60 |
| Напряжение питания: 50 В |
| Идентификатор: 750 мА |
| Пакет: RF-565 |
| Процесс: GaN |
| Тип: Силовые ВЧ-дискретные транзисторы |
