EUV-литография – залог прогресса в цифровую эпоху EUV-литография выигрывает гонку за метод производства микрочипов будущего. В течение нескольких лет полупроводниковая промышленность искала экономически эффективный способ (и способ, который имел бы потенциал для массового производства) позволяющий экспонировать даже меньшие структуры на кремниевых пластинах. ASML, Zeiss и TRUMPF объединили усилия и разработали технологию производства крайнего ультрафиолета (EUV) с длиной волны 13,5 нанометров для промышленного использования: в вакуумной камере генератор капель выпускает 50 000 мельчайших капель олова в секунду. На каждую из этих капель воздействует один из 50 000 лазерных импульсов, и они превращаются в плазму. Таким образом создается EUV-свет, который затем направляется на пластины для экспонирования с помощью зеркала. Лазерный импульс для излучения плазмы генерируется разработанной TRUMPF импульсной лазерной системой CO2 – TRUMPF Laser Amplifier. От нескольких ватт до 40 киловатт Лазерный усилитель TRUMPF последовательно усиливает лазерный импульс более чем в 10 000 раз. Эффективность и надежность. Путем испускания предварительного и основного импульсов вся мощность лазерного усилителя может быть передана капле олова. Новое применение CO2-лазера В основе мощной лазерной системы лежит CO2-лазер, работающий в непрерывном режиме. Таким образом, TRUMPF создает новое применение этой технологии. Большая сеть специалистов За годы тесного сотрудничества TRUMPF, ASML и ZEISS довели технологию EUV до промышленной зрелости.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипРЧ, оптическийДругие характеристикицифровой, мощный, лазерный
