Это мониторный PIN-фотодиод InGaAs/InP с верхней подсветкой и большой активной площадью, который представляет собой плоскую структуру с анодом сверху и катодом сзади. Размер активной области составляет 500 мкм и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 1100 до 1700 нм. Применение для контроля выходной оптической мощности с задней стороны различных ЛД. Имеет активную площадь Φ500 мкм. Высокая ответственность. Высокая линейность. Низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Поддержка процесса пайки AnSn. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU). Применение Мониторинг мощности лазера на задней грани.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
