Каталоги
Для этого продукта каталогов нет.
Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.
Технические характеристики
Это InGaAs/InP PIN-фотодиодный чип монитора 1X2 с большой активной площадью, представляющий собой плоскую структуру с анодом и катодом сверху, падающей поверхностью сзади. Размер активной области с нижней подсветкой составляет 100 мкм и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 980 до 1620 нм. В основном применяется для контроля оптической мощности. Особенности Планарная структура на подложке SI InP. Нижняя подсветка: активная область Φ100 мкм. Массив 1X2, шаг кристалла: 500 мкм. Высокая ответственность. Низкий темновой ток. Анод и катод сверху, проволочное соединение спереди. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU). Приложения Мониторинг оптической мощности
