Повысьте эффективность, пропускную способность и надежность при изготовлении высокоскоростных электронных компонентов, начав с наших стабильных, высокопроизводительных эпитаксиальных пластин III-V.
Coherent обладает обширными возможностями для разработки, проектирования и и изготовление современных эпитаксиальных полупроводниковых пластин III-VI. Мы даем вам возможность легко внедрить в ваше приложение технологии нового поколения и поддерживаем вас в серийном производстве.
Технические характеристики
Тип устройства | Базовый материал | Возможности материала | Диаметр пластины |
EpiHBT® | GaAs | InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs | до 150 мм |
InP | InP/InGaAs | до 100 мм | |
EpiBiFET® | GaAs | InGaP/GaAs, AlGaAs/GaAs | до 150 мм |
InP | InP/InGaAs, InP/InAlAs | до 100 мм | |
EpiFET® | GaAs | AlGaAs/GaAs, InGaP/GaAs | до 150 мм |
InP | InP/InGaAs, InP/InAlAs | до 100 мм |
