Система физического переноса паров (PVT) PVA TePla baSiC-T была специально разработана для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путем сублимации исходного порошка при высоких температурах. Конструкция системы baSiC-T основана на модульной концепции и позволяет использовать субстраты (семена) диаметром до 6 дюймов. Печь для выращивания кристаллов SiC PVT нового поколения Разработана для применения в силовой электронике. Высокий уровень автоматизации для массового производства. Доступно программное обеспечение для управления производством. Небольшая занимаемая площадь, компактное размещение. Доступно для 4 и 6 дюймов. Индуктивный нагрев с использованием проверенных на практике конструкций катушек. Низкое энергопотребление (прибл. 10 кВт при стабильном контроле при 2200 °C) Мобильная концепция загрузки/разгрузки для горячей зоны Превосходная система управления с интуитивно понятным управлением и высоким уровнем автоматизации визуализации процесса с расширенными функциями отслеживания тенденций Решение для настройки рецептов в автономном режиме с множеством вариантов рецептов с помощью наборов долгосрочных параметров регистрация технологических данных, долгосрочный поиск данных, система управления и визуализация работают независимо (концепция безопасности) контуры управления системой, конфигурируемые с помощью наборов параметров. Отличная концепция безопасности. Соответствие CE. Различные уровни компонентов безопасности системы обеспечивают безопасную работу. Измерения качества и расширенная документация по качеству. Тесное сотрудничество с клиентами. , институты и поставщики комплектующих
Технические характеристики
ХарактеристикиФункциясублимация, рост кристалловКонфигурацияколоколИсточник теплагазДругие характеристикидля слитковМаксимальная температура
2600 °C (4712 °F)
