Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

QPD0020 - RF Power Transistor from Qorvo

15 300 

RF Power Transistor, GaN, DC - 6 GHz, 18.8 dB, 45.4 dBm, 35 W, 48 V, QFN, 4 x 3 mm

The QPD0020 is a 35 Watt unmatched discrete GaN on SiC HEMT which operates from DC to 6 GHz on a +48 V supply rail. It is ideally suited for base station, radar and communications applications and can support both CW and pulsed mode of operations.

The QPD0020 can be used in Doherty architecture for the final stage of a base station power amplifier for small cell, microcell, and active antenna systems. The QPD0020 can also be used as a driver in a macrocell base station power amplifier.

The device is housed in an industry-standard 4 x 3 mm surface mount QFN package.

Lead-free and ROHS compliant.

Технические характеристики

Part Number: QPD0020
Manufacturer: Qorvo
Frequency Min: 0 GHz
Frequency Max: 6 GHz
Output Power: 35 W
Gain: 18.8 dB
% Typ Efficiency: 77.8
Supply Voltage: 48 V
Id: 30 mA
Package: QFN
Process: GaN
Type: RF Power Discrete Transistors

QPD0020 QPD0020 - RF Power Transistor from Qorvo — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.

Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.

Текущая цена в карточке: 15 300 ₽. Для партий и регулярных закупок условия уточняются отдельно.

Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.

В наличии: 397 шт

КоличествоЦена за шт
1+15 116 ₽
10+9 517 ₽
50+7 130 ₽
100+6 212 ₽
500+5 294 ₽
1000+4 529 ₽
1500+4 284 ₽
2500+4 192 ₽
3500+3 993 ₽
5000+3 902 ₽
6000+3 810 ₽
12000+3 794 ₽

Вопросы и ответы

Как проверить совместимость товара?

Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.

Можно ли заказать партию?

Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.