Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

MRFE6S9060GNR1 - RF Power Transistor from NXP

RF Power Transistor, 470 to 960 MHz, 60 W, Typ Gain in dB is 21.1 @ 880 MHz, 28 V, LDMOS

Артикул: MRFE6S9060GNR1

Технические характеристики

Part Number: MRFE6S9060GNR1
Manufacturer: NXP
Frequency Min: 0.47 GHz
Frequency Max: 0.96 GHz
Output Power: 60 W
Gain: 21.1 dB
% Typ Efficiency: 33
Supply Voltage: 28 V
Process: LDMOS
Type: RF Power Discrete Transistors

MRFE6S9060GNR1 MRFE6S9060GNR1 - RF Power Transistor from NXP — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.

Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.

Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.

Вопросы и ответы

Как проверить совместимость товара?

Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.

Можно ли заказать партию?

Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.