Технические характеристики
| Part Number: MRFE6S9060GNR1 |
| Manufacturer: NXP |
| Frequency Min: 0.47 GHz |
| Frequency Max: 0.96 GHz |
| Output Power: 60 W |
| Gain: 21.1 dB |
| % Typ Efficiency: 33 |
| Supply Voltage: 28 V |
| Process: LDMOS |
| Type: RF Power Discrete Transistors |
RF Power Transistor, 470 to 960 MHz, 60 W, Typ Gain in dB is 21.1 @ 880 MHz, 28 V, LDMOS
| Part Number: MRFE6S9060GNR1 |
| Manufacturer: NXP |
| Frequency Min: 0.47 GHz |
| Frequency Max: 0.96 GHz |
| Output Power: 60 W |
| Gain: 21.1 dB |
| % Typ Efficiency: 33 |
| Supply Voltage: 28 V |
| Process: LDMOS |
| Type: RF Power Discrete Transistors |
MRFE6S9060GNR1 MRFE6S9060GNR1 - RF Power Transistor from NXP — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.
Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.
Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.
Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.
Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.