Эта печь для выращивания кристаллов позволяет производить кристаллы лабораторного размера методами Бриджмена, Чохральского или Степанова. Этот метод используется для выращивания монокристаллов полупроводниковых материалов (кремния, германия и арсенида галлия), металлов, солей и синтетических драгоценных камней. Скорость вытягивания регулируется и контролируется с точностью до 0,001 дюйма/мин. (0,025 мм/мин). Для вращения высевного стержня 3/8 дюйма предусмотрен отдельный двигатель. Наша опция выращивания кристаллов также может быть установлена на некоторых MRF-печах с фронтальной загрузкой с использованием порта верхней камеры, таких как наша универсальная лабораторная печь или некоторые дуговые плавильные печи.
Технические характеристики
ХарактеристикиФункцияКарбонитрирование, пайка, закалка, спекание, отжиг, термообработка, рост кристалловКонфигурациякамерыИсточник теплаэлектрическийАтмосфераводород, инертный газ, вакуумДругие характеристикидля керамической промышленности, лаборатории, для металлургии, для слитков, для заготовокМаксимальная температура
Макс.: 2000 °C (3632 °F)
Мин.: 0 °C (32 °F)
