Этот фотодиодный PIN-чип InGaAs/InP с верхней подсветкой и большой активной площадью имеет плоскую структуру: анод сверху и катод сзади. Размер активной области составляет 5000 мкм и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 980 до 1620 нм. Применение для контроля выходной оптической мощности с задней стороны различных ЛД. Особенности Планарная структура на подложке n+ InP с верхним анодным контактом. Активная площадь Φ5000 мкм. Высокая ответственность и низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Применение Промышленное автоматическое управление. Научный анализ и эксперимент. Аппаратура обнаружения света в космосе. Измеритель оптической мощности. Тестирование спектра ответа.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
