Этот фотодиодный PIN-чип InGaAs/InP с верхней подсветкой и большой активной площадью имеет плоскую структуру: анод сверху и катод сзади. Размер активной области составляет 2000 мкм и высокая чувствительность в диапазоне длин волн от 980 до 1620 нм. Приложение для мониторинга выходной оптической мощности с задней стороны различных светодиодов. Особенности Планарная структура на подложке n+ InP с верхним анодным контактом. Активная площадь Φ2000 мкм. Высокая ответственность. Низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Применение Мониторинг мощности лазера на задней грани.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
