XSJ-10-EMPD-120R представляет собой микросхему PIN-фотодиода монитора InGaAs/InP с боковой подсветкой, которая представляет собой планарную структуру с анодным контактом и катодным контактом сверху. Размер области обнаружения края фотодиода составляет 120×60 мкм, что подходит для лазеров с торцевым излучением, используемых в центрах обработки данных и телекоммуникациях, и обеспечивает отличную чувствительность в диапазоне длин волн от 980 до 1620 нм. Размеры изделия специально рассчитаны на негерметичную упаковку. Имеет связующую прокладку PN сверху и подходит для негерметичной упаковки. Обнаруживаемая область края: 120 мкмX60 мкм. Высокая ответственность и низкий темновой ток. Низкое рабочее напряжение смещения. Рабочий диапазон от -40 ℃ до 85 ℃. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Доступен индивидуальный размер чипа. Применение Мониторинг мощности лазера на задней грани. Цифровая оптическая связь FTTH. Оптическое соединение.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
