Этот фотодиодный чип с высокой скоростью передачи данных (10 Гбит/с) имеет PIN-структуру InGaAs/InP и имеет верхнюю подсветку. Особенности: высокая надежность, низкая емкость, низкий темновой ток, размер активной области Φ50 мкм, анодная и катодная контактная площадка сверху для соединения проводов корпуса TO-CAN. Применение в приемнике 10 Гбит/с. Имеет активную площадь Φ20 мкм. Структура контактной площадки Земля-Сигнал-Земля (GSG) сверху. Низкий темновой ток, низкая емкость, высокая ответственность. Скорость передачи данных до 25 Гбит/с. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям Telcordia-GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Соответствует RoHS2.0 (2011/65/EU). Приложения Аналоговые каналы 100 Gigabit Ethernet 20 ГГц. Высокоскоростные испытания и измерения.
Технические характеристики
ХарактеристикиТипInGaAsКреплениеPIN
