Каталоги
Для этого продукта каталогов нет.
Просмотреть все каталоги PHOGRAIN TECHNOLOGY (SHENZHEN) CO., LTD.
Технические характеристики
Такая высокая скорость передачи данных Фотодиодный чип 4X25 Гбит/с представляет собой структуру PIN-матрицы 1×4 с верхней подсветкой GaAs. Особенности: высокая ответственность, низкая емкость и низкий темновой ток, размер активной области составляет Φ38 мкм, сигнальная и обе площадки заземления расположены на верхней части чипа для облегчения проводного соединения, применение в передаче данных на короткие расстояния 850 нм, 25 Гбит/с, размеры чипа соответствуют упаковке требование к 25 Гбит/с на модуль канала или приемник с активным оптическим кабелем (AOC). Имеет активную площадь Φ38 мкм. Низкая емкость. Низкий темновой ток. Высокая ответственность. Скорость передачи данных: до 25 Гбит/с и выше на канал. Конструкция контактной площадки Земля-Сигнал-Земля. Шаг кристалла: 250 мкм. Превосходная надежность: все чипы соответствуют квалификационным требованиям, указанным Telcordia -GR-468-CORE. 100% тестирование и проверка. Приложения Приемопередатчик передачи данных. Приемник AOC (активный оптический кабель) 25 Гбит/с на длине волны 850 нм. SFP+ 25 Гбит/с. QSFP 4X25 Гбит/с.
