Это оборудование предназначено для установок по запайке и тестированию чипов размером 8 дюймов и выше и применяется для пластин low-k и пластин Gan на основе кремния с 40 нм и ниже в полупроводниковой промышленности. • Высокое качество. Используйте сверхкороткую импульсную обработку для уменьшения разрушения кромок, расслоения и термического воздействия, а также применяйте высокоточное визуальное позиционирование для обеспечения положения прорези. • Высокая эффективность. Благодаря технологии пространственной модуляции света размер и форма пятна формирования могут быть изменены. регулируется, коэффициент использования энергии лазера высок, а реакция быстрая • Высокая степень интеграции Интегрированное защитное жидкое покрытие, модуль прорези пластин и очистки
Технические характеристики
ХарактеристикиТип управленияавтоматический
