RF Power Transistor, 1.805 to 1.995 GHz, 158 W, Typ Gain in dB is 18.1 @1840 MHz, 28 V, SOT1785-1, LDMOS
| Part Number: A2T18S166W12SR3 |
| Manufacturer: NXP |
| Frequency Min: 1.805 GHz |
| Frequency Max: 1.995 GHz |
| Output Power: 158 W |
| Gain: 18.1 dB |
| % Typ Efficiency: 34.4 |
| Supply Voltage: 28 V |
| Package: SOT1785-1 |
| Process: LDMOS |
| Avg Power: 38 W |
| Type: RF Power Discrete Transistors |
A2T18S166W12SR3 A2T18S166W12SR3 - RF Power Transistor from NXP — товар из ассортимента Laserzz для подбора и поставки под задачи ремонта и комплектации.
Позиция подходит для сценариев замены и закупки под конкретную спецификацию оборудования.
Для корректного выбора сверяйте маркировку, параметры и совместимость с вашей схемой/узлом.
Сравните артикул, технические параметры и формат исполнения с требованиями вашей модели оборудования.
Да, для партийных закупок доступны отдельные условия, ориентируйтесь на количество и сроки поставки.
