Base Product Number | 2SA1162 -> |
ECCN | 3A991B1A |
HTSUS | 8542.32.0071 |
Memory Format | FLASH |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 4Gb (512M x 8) |
Memory Type | Non-Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
Package | Tray |
Package / Case | 63-BGA |
RoHS Status | RoHS Compliant |
Supplier Device Package | 63-BGA (9×11) |
Technology | FLASH — NAND (SLC) |
Voltage — Supply | 1.7V ~ 1.95V |
Write Cycle Time — Word, Page | 25ns |
TH58NYG2S3HBAI6 (Флэш-память NAND)
814 ₽
Купить TH58NYG2S3HBAI6 от 210 шт в Москве. Производитель KIOXIA AMERICA.
В наличии на складе 0 шт.
Доставка импортных компонентов Kioxia America по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!