Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

TGF2979-SM - RF Power Transistor from Qorvo

22 050 

RF Power Transistor, DC- 12 GHz, 25 W, 11 dB, 32 V, GaN, Plastic , QFN

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: TGF2979-SM TME арт.: TGF2979-SM

Технические характеристики

Part Number: TGF2979-SM
Manufacturer: Qorvo
Export Status:
Frequency Min: 0 GHz
Frequency Max: 12 GHz
Output Power: 25 W
Gain: 11 dB
% Typ Efficiency: 45
Supply Voltage: 32 V
Package: QFN 3x4mm
Process: GaN HEMT
Type: RF Power Discrete Transistors