Термооксид на ультраплоской пластине, 200нм, тип &lt,100&gt,

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.

Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.

Цена может измениться после запроса у поставщика!

Артикул: GASUF06 TME арт.: GASUF06

Продавец

Ultra-Flat silicon wafer for demanding substrate studies. Can also be used as substrate for AFM or SEM samples by dicing the wafer into smaller pieces using a scriber and the Wafer Cleaving / Glass Breaking Pliers. The ultra-flat silicon wafer is shipped in a wafer carrier.

Properties for 150mm ultra-flat wafer:

Orientation: &lt,100&gt,
Grade: Prime / CZ Virgin
Resistivity: 1-10 Ohm/cm
Type: P / Dopant: Boron
Wafer Thickness: 675 +/- 25um
TTV: &lt,= 1.5um
Warp: &lt,=30um / Bow: &lt,= 30um
Particles: &lt,= 30@&gt,=0.2um
Front surface: Polished
Back Surface: Etched
Flat: 1 per SEMI Standard (flat length 57.5 ±2.5mm)
Roughness: Typical 2-3

Технические характеристики

GASUF06