Система HTCVT/HTCVD была специально разработана для выращивания кристаллов карбида кремния (SiC) путем сублимации/термического разложения (пиролиза) исходных газов при высоких температурах. Благодаря возможности высокого вакуума перед началом процесса можно добиться сверхчистых поверхностей по отношению как к воде, так и к кислороду. Конструкция системы позволяет использовать субстраты (семена) диаметром до 4 дюймов. Технические характеристики Рабочее давление в трубке реактора: ок. 5–900 мбар, рабочая температура: макс. 2600 °C Мощность источника питания: макс. Частота 80 кВт: 6–8 кГц. Преимущества HTCVD: карбид кремния высокой чистоты. Регулировка соотношения легирования C/Si. Преимущества Сублимация: хорошо известная технология отвечает требованиям к силовым подложкам. Применение — PFC (преобразователь коэффициента мощности) — Инвертеры и преобразователи для гибридной технологии — Инвертор для солнечной энергии — Высокочастотная электроника — Оптоэлектроника
Технические характеристики
ХарактеристикиФункциясублимация, рост кристалловКонфигурацияколоколИсточник теплагазАтмосферавысокий вакуумДругие характеристики для слитковМаксимальная температура
2600 °C (4712 °F)
