Увеличьте масштабы производства ВЧ-усилителей мощности GaN-on-SiC и других ВЧ- и СВЧ-устройств с помощью наших высококачественных полуизолирующих подложек SiC.
Coherent стала пионером в разработке усилителей большого диаметра, полуизолирующие подложки SiC и обеспечивают материал с высоким удельным сопротивлением, что позволяет изготавливать компоненты с низкой рассеиваемой мощностью, высокочастотной работой и хорошей термической стабильностью.
Технические характеристики
Свойства полуизолирующего материала из карбида кремния | |
Физические характеристики | |
Структура | Шестиугольная, монокристалл |
Диаметр | До 200 мм |
Сорты | Prime, Development, Mechanical |
Теплопроводность | |
Теплопроводность | 370 (Вт/мК) при комнатной температуре |
Коэффициент термического расширения | 4,5 x 10-6/K |
Удельная теплоемкость (25°C) | 0,71 (Дж/г°C) |
Дополнительные ключевые свойства когерентных подложек SiC (типичные значения) | |
Параметр | Полуизоляционный |
Polytype | 4H, 6H |
Допант | Ванадий |
Удельное сопротивление | >,1011 Ом-см |
Ориентация | По оси |
Шероховатость, Ra | <,5Å |
Плотность дислокаций | <, 10 000 см-2 |
Плотность микротрубок | <, 0,1 см-2 |
