Технические характеристики
| Type | Poly Si-bias AC-readout |
|---|---|
| Si thickness | 320 ±15 μm |
| Si crystal plane direction | <,100>, |
| Breakdown voltage min. | 200 V |
| Dark current max. | 3 μA |
| Full depletion voltage max. | 100 V |
| Defective strip rate max. | 5 % |
Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
| Type | Poly Si-bias AC-readout |
|---|---|
| Si thickness | 320 ±15 μm |
| Si crystal plane direction | <,100>, |
| Breakdown voltage min. | 200 V |
| Dark current max. | 3 μA |
| Full depletion voltage max. | 100 V |
| Defective strip rate max. | 5 % |