Технические характеристики
| Номер детали | RSD221N06TL | Производитель | LAPIS Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | MOSFET N-CH 60V 22A CPT3 | Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Доступное количество | 91145 шт. на складе | Технический паспорт | RSD221N06TL.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA | Vgs (Max) | ±20V |
| Технология | МОП-транзистор (оксид металла) | Комплект поставки | CPT3 |
| Серия th> | — | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 26 мОм @ 22A, 10V |
| Питание Рассеяние (макс.) | 850 мВт (Ta), 20 Вт (Tc) | Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Упаковка/Корпус | TO-252-3, DPak (2 Вывода + Вкладка), SC-63 | Рабочая температура | 150° C (TJ) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (Неограниченный ed) |
| Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds | 1500 пФ при 10 В |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) при Vgs | 30 нКл при 10 В | Тип полевого транзистора | N-канальный |
| Функция полевого транзистора | — | Напряжение возбуждения (макс. On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | Подробное описание | N-канальный 60 В, 22 А (Tc), 850 мВт (Ta), 20 Вт (Tc), поверхностный монтаж CPT3 |
| Ток — непрерывный сток ( Id) при 25°C | 22A (Tc) |
