Технические характеристики
Номер детали | RM25C512C-LSNI-B | Производитель | Adesto Technologies |
---|---|---|---|
Описание | IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC | Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
Доступное количество | 127862 шт. на складе | Технический паспорт | RM25C512C-LSNI-B.pdf |
Время цикла записи — слово, страница | 100 мкс, 5 мс | Напряжение — питание | 1,65 В ~ 3,6 В |
Технология | CBRAM | Комплект поставки | 8-SOIC |
Серия | Mavriq™ | Упаковка | Трубка |
Упаковка/футляр | 8-SOIC (0,154′, ширина 3,90 мм) | Другие названия | 1265-1242 RM25C512C-LSNI-B-ND |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) | Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) | M Тип памяти | Энергонезависимая |
Размер памяти | 512 КБ (размер страницы 128 Б) | Интерфейс памяти | SPI |
Формат памяти | CBRAM® | Стандартное время выполнения заказа производителем | 8 недель |
Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | Подробное описание | ИС памяти CBRAM 512kb (размер страницы 128B) SPI 20MHz 8-SOIC |
Тактовая частота | 20MHz |