Технические характеристики
Номер детали | RM25C256DS-LSNI-T | Производитель | Adesto Technologies | |
---|---|---|---|---|
Описание | IC CBRAM 256K SPI 20MHZ 8SOIC | Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | |
Доступное количество | 108457 шт. на складе | Технический паспорт | RM25C256DS-LSNI-T.pdf | |
Время цикла записи — слово, страница | 100 мкс, 2,5 мс | Напряжение — питание | 1,65 В ~ 3,6 В | |
Технология | CBRAM | Комплект поставки | 8-SOIC | |
Серия | Mavriq™ | Упаковка | Лента и катушка (TR) | |
Упаковка/ Корпус | 8-SOIC (0,154′, ширина 3,90 мм) | Другие названия | 1265-1310-2 | |
Рабочая температура | -40°C ~ 85°C (TA) | Тип монтажа | Поверхностный монтаж | |
Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без ограничений) | Тип памяти e | Энергонезависимая | |
Размер памяти | 256 КБ (размер страницы 64 Б) | Интерфейс памяти | SPI | |
Формат памяти | CBRAM® | Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | |
Подробное описание | IC памяти CBRAM 256 КБ (размер страницы 64 байта) SPI 20 МГц 8-SOIC | Тактовая частота | 20MHz |