Компоненты Source RB-SiC практически любого размера и формы, адаптированные по мере необходимости, включая высокую плоскостность, большую глубину пропитки и внутренние каналы охлаждения.
RB-SiC предлагает уникальное сочетание физических характеристик — устойчивость к высоким температурам, низкий КТР, химическая инертность, высокая прочность и соотношение прочности к весу — для применения в высоковольтной электронике, полупроводниковых инструментах и т. д.
Технические характеристики
Свойство | SSC-702 | SSC-802 | SSC-902 | SSC-FG (Мелкозернистый SiSiC) | HSC-702 (Si /SiC+Al) | TSC-15 (Si/SiC + Ti) | RBBC-751 (B4C/SiC/Si) | SSC-HTC |
Коэффициент Пуассона | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.18 | 0.19 | 0.19 | 0.18 | 0.2 |
Модуль Юнга (ГПа) [E] | 350 | 380 | 410 | 330 | 330 | 390 | 400 | 373 |
CTE, 20–100 °C (ppm/K) [α] | 2.9 | 2.9 | 2.7 | 3 | 4.4 | 3 | 4.8 | 2.9 |
Теплопроводность. (Вт/мК) [к] | 170 | 180 | 190 | 150 | 200 | 210 | 52 | 402 |
Удельная теплота (Дж/кг-К) | 680 | 670 | 660 | 680 | 700 | 670 | 890 | 670 |
Ult. Предел прочности на разрыв (МПа) | Н/Д | Н/Д | Н/Д | Н/Д | Н/Д | Н/Д | Н/Д | — |
Прочность на изгиб (МПа) | 270 | 280 | 280 | 350 | 275 | 225 | 280 | 265 |
Fracture Прочность (МПа-м1/2) | 4 | 4 | 4 | 4 | 5 | 5 | 5 | 3.5 |
Коэффициент демпфирования (% Zeta) | — | 0.12 | — | — | — | — | — | — |
Удельная жесткость (E/ρ) | 119 | 127 | 131 | 112 | 109 | 125 | 156 | — |
Термическая стабильность ( k/α) | 59 | 62 | 70 | 50 | 45 | 70 | 11 | — |
