Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

QPD2018D — ВЧ силовой транзистор от Qorvo

2 700 

ВЧ-транзистор, GaAs, от постоянного тока до 20 ГГц, 14 дБ, 22 дБм, DIE

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: QPD2018D TME арт.: QPD2018D

QPD2018D от Qorvo — это дискретный pHEMT размером 180 микрон, работающий в диапазоне от постоянного тока до 20 ГГц. QPD2018D разработан с использованием проверенного стандартного производственного процесса pHEMT мощностью 0,25 мкм от Qorvo. В этом процессе используются передовые методы оптимизации микроволновой мощности и эффективности в рабочих условиях с высоким смещением стока.

QPD2018D обычно обеспечивает выходную мощность 22 дБм при P1дБ с усилением 14 дБ и эффективностью добавленной мощности 55% при 1. Сжатие дБ. Такая производительность делает QPD2018D подходящим для высокоэффективных приложений. Защитный слой из нитрида кремния обеспечивает устойчивость к воздействию окружающей среды и защиту от царапин.

Технические характеристики

Номер детали: QPD2018D
Производитель: Qorvo
Мин. частота: 0 ГГц
Макс. частота: 20 ГГц
Усиление: 14 дБ
% Типовая эффективность: 55
Напряжение питания: 8 В
Идентификатор: 29 мА
Пакет: DIE
Процесс: GaAs
Тип: Силовые ВЧ-транзисторы