| Id — непрерывный ток утечки | 28 A |
| Pd — рассеивание мощности | 758 W |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 1.5 kW |
| Категория продукта | РЧ полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом |
| Конфигурация | Dual Gate Dual Drain |
| Максимальная рабочая температура | + 85 C |
| Максимальное напряжение сток-затвор | 225 V |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Transistors |
| Применение | Avionics, IFF Transponders |
| Рабочая частота | 1 GHz to 1.1 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 18 |
| Серия | QPD |
| Средства разработки | QPD1025LEVB1 |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Тип продукта | RF JFET Transistors |
| Тип транзистора | HEMT |
| Торговая марка | Qorvo |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | NI-1230-4 |
| Усиление | 22.9 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Вес, г | 39.66 |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 305 858 руб. |
QPD1025L (ВЧ JFET-транзисторы)
254 882 ₽
Купить QPD1025L от 1 шт в Москве. Производитель QORVO.
В наличии на складе 14 шт.
Доставка импортных компонентов Qorvo по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
