Qorvo QPD1022 представляет собой дискретный GaN-на-SiC HEMT мощностью 10 Вт (P3дБ), работающий в диапазоне от постоянного тока до 12 ГГц. Это широкополосное устройство представляет собой непревзойденный однокаскадный транзистор усилителя мощности в формованном пластиковом корпусе. Широкая полоса пропускания QPD1022 делает его пригодным для множества различных приложений от постоянного тока до 12 ГГц.
Устройство помещено в стандартный корпус QFN для поверхностного монтажа размером 3 x 3 мм. Не содержит свинца и соответствует требованиям ROHS. Оценочные доски предоставляются по запросу.
Технические характеристики
| Номер детали: QPD1022 |
| Производитель: Qorvo |
| Мин. частота: 0 ГГц |
| Макс. частота: 12 ГГц |
| Выходная мощность: 10 Вт |
| Усиление: 24 дБ |
| % Типовой КПД: 68,8 |
| Напряжение питания: 32 В |
| Идентификатор: 50 мА |
| Упаковка: QFN 3 x 3 мм |
| Процесс: GaN |
| Тип: Силовые ВЧ-транзисторы |
