ВЧ МОП-транзисторы PD55025-E.
| Id — непрерывный ток утечки | 7 A |
| Pd — рассеивание мощности | 79 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 20 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 3.5 mm |
| Выходная мощность | 25 W |
| Длина | 7.5 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Крутизна характеристики прямой передачи — Мин. | 2.5 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 400 |
| Серия | PD55025-E |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка | Tube |
| Упаковка / блок | PowerSO-10RF-Straight-4 |
| Усиление | 14.5 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Ширина | 9.4 mm |
| Вес, г | 0.42 |
