PHEMOS-1000 — это эмиссионный микроскоп высокого разрешения, который определяет места сбоев в полупроводниковых устройствах путем обнаружения слабого светового и теплового излучения, вызванного дефектами полупроводниковых устройств. Поскольку PHEMOS-1000 можно использовать в сочетании с зондом общего назначения, вы можете выполнять различные задачи анализа, используя уже знакомые вам настройки образцов. Установка дополнительной системы лазерного сканирования позволяет получать изображения узоров с высоким разрешением. Доступны различные типы детекторов для различных методов анализа, таких как анализ выбросов, термический анализ и анализ IR-OBIRCH. PHEMOS-1000 поддерживает широкий спектр задач и применений, начиная от плат с разъемами для датчиков и заканчивая датчиками для пластин диаметром 300 мм. Особенности • Возможность установки двух камер сверхвысокой чувствительности • Возможность установки лазеров с длиной волны до 3 и зондового источника света для ЭОП • Оснащен оптическим столиком, подходящим для различных образцов Опции • Включает систему лазерного сканирования • Анализ излучения с помощью высокочувствительного ближнего инфракрасного диапазона камера • Термический анализ с помощью высокочувствительной камеры среднего инфракрасного диапазона • IR-OBIRCH-анализ • Динамический анализ с помощью лазерного облучения • ЭО-зондовый анализ • Анализ с высоким разрешением и высокой чувствительностью с использованием NanoLens • Подключение к CAD-навигации • Подключение к тестеру LSI
Технические характеристики
ХарактеристикиТипоптическийТехническое применениепроверка Техника наблюденияближний инфракрасный диапазонДругие характеристикицифровая камера, высокого разрешения, фотоэмиссия</div