| Id — непрерывный ток утечки | 125 mA |
| Pd — рассеивание мощности | 61.4 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 68 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 0.5 V, 12 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | MW6S010N |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка / блок | TO-270 |
| Количество | Цена/шт (.руб) |
| 1 | 4719.75 .руб |
| 10 | 4614.75 .руб |
| 500 | 4613 .руб |
MW6S010NR1 (ВЧ МОП-транзисторы)
4 720 ₽
Купить MW6S010NR1 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 575 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
