Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей
Оптовые цены
КоличествоЦена/шт (руб.)
1187 руб.
10166 руб.
25150 руб.
100131 руб.
250115 руб.
500102 руб.
100096 руб.
200080 руб.

MT3S111P(TE12L,F) (ВЧ биполярные транзисторы)

156 

Купить MT3S111P(TE12L,F) от 1 шт в Москве. Производитель TOSHIBA.
В наличии на складе 1973 шт.

Доставка импортных компонентов Toshiba по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: MT3S111P(TE12L,F) Mouser арт.: 757-MT3S111PTE12LFTME арт.: MT3S111P(TE12L,F)
Base Product NumberTC74LCX540 ->
Current — Collector (Ic) (Max)100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce200 @ 30mA, 5V
ECCNEAR99
Frequency — Transition8GHz
Gain10.5dB
HTSUS8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL)1 (Unlimited)
Mounting TypeSurface Mount
Noise Figure (dB Typ @ f)1.25dB @ 1GHz
Operating Temperature150В°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / CaseTO-243AA
Power — Max1W
RoHS StatusRoHS Compliant
Supplier Device PackagePW-MINI
Transistor TypeNPN
Voltage — Collector Emitter Breakdown (Max)6V
Pd — рассеивание мощности1 W
Вид монтажаSMD/SMT
Категория продуктаРЧ биполярные транзисторы
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)200
КонфигурацияSingle
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора100 mA
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.6 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)0.6 V
Непрерывный коллекторный ток100 mA
ПодкатегорияTransistors
Полярность транзистораNPN
Рабочая частота8 GHz
Размер фабричной упаковки1000
СерияMT3S111P
ТехнологияSiGe
Тип продуктаRF Bipolar Transistors
Тип транзистораBipolar
Торговая маркаToshiba
УпаковкаReel, Cut Tape
Упаковка / блокSC-62-3