MRFX1K80NR5 — силовой ВЧ-транзистор от NXP

MRFX1K80N: 1800 Вт непрерывного сигнала в диапазоне 1,8–470 МГц, широкополосный силовой РЧ-транзистор LDMOS, 65 В

MRFX1K80N представляет собой пластиковую версию MRFX1K80H с формованным пластиком и обычно обеспечивает снижение теплового сопротивления на 30 %. Он основан на новой технологии LDMOS 65 В от NXP, которая ориентирована на простоту использования. Этот высоконадежный транзистор предназначен для использования в промышленных, научных и медицинских приложениях с высоким КСВ, а также в радио- и ОВЧ-телевещании, в аэрокосмической и мобильной радиосвязи с субгигагерцовым диапазоном. Его непревзойденная конструкция входов и выходов позволяет использовать широкий диапазон частот от 1,8 до 470 МГц.

MRFX1K80N совместим по выводам (та же печатная плата) с его керамической версией MRFX1K80H, с MRFE6VP61K25H и MRFE6VP61K25N (1250 Вт при 50 В). ), а также с MRF1K50H и MRF1K50N (1500 Вт при 50 В).

Технические характеристики