ВЧ МОП-транзисторы MRFE6VP5600HR6.
| Pd — рассеивание мощности | 1667 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 130 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 600 W |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 1.8 MHz to 600 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 150 |
| Серия | MRFE6VP5600 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка / блок | NI-1230 |
| Усиление | 25 dB |
