| Pd — рассеивание мощности | 1.667 kW |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 130 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 10 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 600 W |
| Другие названия товара № | 935310538178 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Dual |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 1.8 MHz to 600 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | MRFE6VP5600 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | NI-1230 |
| Усиление | 25 dB |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 42 176 руб. |
| 50 | 42 176 руб. |
MRFE6VP5600HR5 (ВЧ МОП-транзисторы)
35 147 ₽
Купить MRFE6VP5600HR5 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 71 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
