| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 66 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 0.5 V, 12 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.2 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 2.08 mm |
| Длина | 9.7 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 1 GHz |
| Размер фабричной упаковки | 500 |
| Серия | MRFE6S9060NR1 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка / блок | TO-270 |
| Усиление | 21.1 dB |
| Ширина | 6.15 mm |
MRFE6S9060NR1 (ВЧ МОП-транзисторы)
9 464 ₽
Купить MRFE6S9060NR1 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 1066 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!







