Поставка оптоэлектронных компонентов ведущих мировых производителей

MRFE6S9060GNR1 - RF Power Transistor from NXP

RF Power Transistor, 470 to 960 MHz, 60 W, Typ Gain in dB is 21.1 @ 880 MHz, 28 V, LDMOS

Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Артикул: MRFE6S9060GNR1 TME арт.: MRFE6S9060GNR1

Технические характеристики

Part Number: MRFE6S9060GNR1
Manufacturer: NXP
Frequency Min: 0.47 GHz
Frequency Max: 0.96 GHz
Output Power: 60 W
Gain: 21.1 dB
% Typ Efficiency: 33
Supply Voltage: 28 V
Process: LDMOS
Type: RF Power Discrete Transistors