Технические характеристики
Part Number: MRFE6S9060GNR1 |
Manufacturer: NXP |
Frequency Min: 0.47 GHz |
Frequency Max: 0.96 GHz |
Output Power: 60 W |
Gain: 21.1 dB |
% Typ Efficiency: 33 |
Supply Voltage: 28 V |
Process: LDMOS |
Type: RF Power Discrete Transistors |
RF Power Transistor, 470 to 960 MHz, 60 W, Typ Gain in dB is 21.1 @ 880 MHz, 28 V, LDMOS
Доставка импортных компонентов по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
Part Number: MRFE6S9060GNR1 |
Manufacturer: NXP |
Frequency Min: 0.47 GHz |
Frequency Max: 0.96 GHz |
Output Power: 60 W |
Gain: 21.1 dB |
% Typ Efficiency: 33 |
Supply Voltage: 28 V |
Process: LDMOS |
Type: RF Power Discrete Transistors |