| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 6 V, 10 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 1.7 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.83 mm |
| Длина | 6.73 mm |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single Dual Source |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 960 MHz to 1400 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 100 |
| Серия | MRF6V10010N |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP / Freescale |
| Упаковка / блок | PLD-1.5 |
| Усиление | 25 dB |
| Ширина | 5.97 mm |
| Количество | Цена/шт (руб.) |
| 1 | 25 673 руб. |
| 100 | 25 673 руб. |
MRF6V10010NR4 (ВЧ МОП-транзисторы)
21 394 ₽
Купить MRF6V10010NR4 от 1 шт в Москве. Производитель NXP SEMICONDUCTORS.
В наличии на складе 121 шт.
Доставка импортных компонентов NXP Semiconductors по России от 3х недель транспортными компаниями СДЭК, Деловые Линии, Major Express.
Оплата физическими и юридическими лицами безналичным расчетом.
Цена может измениться после запроса у поставщика!
