ВЧ МОП-транзисторы MRF24G300HSR5.
| Id — непрерывный ток утечки | 24.3 mA |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 125 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 2.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Выходная мощность | 307 W |
| Другие названия товара № | 935389771178 |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Количество каналов | 2 Channel |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | Dual N-Channel |
| Рабочая частота | 2400 MHz to 2500 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 50 |
| Серия | MRF24300 |
| Технология | GaN-on-SiC |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Упаковка / блок | NI-780H-4 |
| Усиление | 14.9 dB |
