ВЧ МОП-транзисторы MRF151G.
| Id — непрерывный ток утечки | 4 A |
| Pd — рассеивание мощности | 62.5 W |
| Vds — напряжение пробоя сток-исток | 40 V |
| Vgs — напряжение затвор-исток | 20 V |
| Vgs th — пороговое напряжение затвор-исток | 1.6 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1.83 mm |
| Выходная мощность | 8 W |
| Длина | 6.73 mm |
| Другие названия товара № | 935309516515 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | РЧ МОП-транзисторы |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Рабочая частота | 520 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Серия | MRF1518NT1 |
| Технология | Si |
| Тип | RF Power MOSFET |
| Тип продукта | RF MOSFET Transistors |
| Торговая марка | NXP Semiconductors |
| Упаковка / блок | PLD-1.5 |
| Усиление | 13 dB |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Ширина | 5.97 mm |
