Марам MR25H10CDF.
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Категория продукта | Магниторезистивная оперативная память (MRAM) |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Напряжение питания — макс. | 3.6 V |
| Напряжение питания — мин. | 2.7 V |
| Организация | 128 k x 8 |
| Подкатегория | Memory Data Storage |
| Размер памяти | 1 Mbit |
| Размер фабричной упаковки | 570 |
| Серия | MR25H10 |
| Тип интерфейса | SPI |
| Тип продукта | MRAM |
| Торговая марка | Everspin Technologies |
| Упаковка | Tray |
| Упаковка / блок | DFN-8 |
| Чувствительный к влажности | Yes |
| Clock Frequency | 40MHz |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
| Memory Format | RAM |
| Memory Interface | SPI |
| Memory Size | 1Mb (128K x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 125В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 8-TDFN Exposed Pad |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Series | Automotive, AEC-Q100 -> |
| Supplier Device Package | 8-DFN-EP, Large Flag (5×6) |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Voltage — Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Вес, г | 0.0374 |
