Технические характеристики
| Номер детали | MPS651G | Производитель | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
|---|---|---|---|
| Описание | TRANS NPN 60V 2A TO-92 | Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS |
| Доступное количество | 5921 шт. на складе | Технический паспорт | MPS651G.pdf |
| Напряжение — пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В | насыщение Vce (макс.) при Ib, Ic | 500мВ при 200мА, 2А |
| Тип транзистора | NPN | Комплект поставки устройства | TO-92-3 |
| Серия | — | Мощность — Макс. | 625 мВт |
| Упаковка | Большой | Пакет/кейс | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) |
| Другие названия | MPS651G-ND MPS651GOS | Рабочая температура | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Тип крепления | Сквозное отверстие | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 ( Без ограничений) |
| Статус без свинца / Статус RoHS | Без свинца / Соответствует RoHS | Частота – переход | 75MHz |
| Подробное описание | Биполярный (BJT) транзистор NPN 60V 2A 75MHz 625mW Сквозное отверстие TO-92-3 | DC Коэффициент усиления по току (hFE) (мин.) при Ic, Vce | 75 при 1 А, 2 В |
| Ток — отсечка коллектора (макс.) | 100 нА (ICBO) | Ток — коллектор (Ic) (макс.) | 2A |
| Номер базовой детали | MPS651 |
