Технология HJT 2.0 Сочетание процесса геттерирования и технологии одностороннего GC-Si для обеспечения более высокой эффективности элемента и более высокой мощности модуля. -0,26%/C Температурный коэффициент Pmax Более стабильная производительность выработки электроэнергии и даже лучшая в жарком климате. Конструкция SMBB с технологией Half-Cut Более короткое расстояние передачи тока, меньшие резистивные потери и более высокая эффективность элемента. Двусторонность до 90 %. Натуральная симметричная двусторонняя структура, приносящая больше энергии. Выход с задней стороны. Герметизация С помощью герметика на основе PIB. Повышенная водостойкость, повышенная воздухонепроницаемость для увеличения срока службы модуля. Повышенная надежность Лучшая в отрасли гарантия на продукцию и производительность, гарантирующая неизменно выдающуюся производительность модулей. Подходит для коммунальных проектов. Более низкая стоимость BOS, более низкая LCOE.
Технические характеристики
ХарактеристикиМатериалмонокристаллический кремнийСертификатыIEC , CE, TUVДругие характеристикичерныйПиковая мощность (Вт)
700 Вт, 705 Вт, 710 Вт, 715 Вт, 720 Вт
Напряжение холостого хода
50,1 В, 50,3 В, 50,4 В, 50,6 В, 50,7 В
Ток короткого замыкания
17,4 А, 17,5 А, 17,6 А, 17,7 А
Макс. напряжение питания
42,1 В, 42,3 В, 42,4 В, 42,5 В, 42,7 В
Макс. силовой ток
16,6 А, 16,7 А, 16,8 А, 16,9 А
КПД модуля
22,53 %, 22,7 %, 22,86 %, 23,02 % , 23,18 %
Длина
2384 мм (94 дюйма)
Ширина
1303 мм (51 дюйм)
Высота
35 мм (1 дюйм)
Вес
38,7 кг (85,32 фунта)
