Технология HJT 2.0 Сочетание геттерного процесса и односторонней технологии uc-Si для обеспечения более высокой эффективности элемента и более высокой мощности модуля. Температурный коэффициент Pmax -0,26%/C Более стабильная производительность выработки электроэнергии и еще лучшая производительность в жарком климате. Конструкция SMBB с технологией Half-Cut Более короткое расстояние передачи тока, меньшие резистивные потери и более высокая эффективность элемента. Двусторонность до 90 %. Натуральная симметричная двусторонняя структура, приносящая больше энергии. Выход с задней стороны. Герметизация С помощью герметика на основе PIB. Повышенная водостойкость, повышенная воздухонепроницаемость для увеличения срока службы модуля. Повышенная надежность Лучшая в отрасли гарантия на продукцию и производительность, гарантирующая неизменно выдающуюся производительность модулей. Подходит для коммунальных проектов. Более низкая стоимость BOS, более низкая LCOE.
Технические характеристики
ХарактеристикиМатериалмонокристаллический кремнийСертификатыIEC , CE, TUVПиковая мощность (Вт)
625 Вт, 630 Вт, 635 Вт, 640 Вт, 645 Вт
Напряжение холостого хода
45,1 В, 45,3 В, 45,5 В, 45,7 В, 45,8 В
Ток короткого замыкания
17,3 А, 17,4 А, 17,5 А, 17,6 А
Макс. напряжение питания
37,9 В, 38 В, 38,2 В, 38,4 В, 38,5 В
Макс. ток мощности
16,5 А, 16,6 А , 16,7 А, 16,8 А
КПД модуля
22,08 %, 22,26 %, 22,44 %, 22,61 %, 22,79 %
Длина
2172 мм (86 дюймов)
Ширина
1303 мм (51 дюйм)
Высота
35 мм (1 дюйм)
Вес
35,3 кг (77,82 фунта)
