Этот GaN-транзистор мощностью 125 Вт от NXP Semiconductors способен работать в широкополосном диапазоне от 30 до 2200 МГц и включает согласование входов для расширенной полосы пропускания. Благодаря высокому коэффициенту усиления и высокой прочности это устройство идеально подходит для CW, импульсных и широкополосных радиочастотных приложений.
MMRF5017HS характеризуется и гарантирует производительность для приложений, работающих в диапазоне от 30 до 2200 МГц. Нет никакой гарантии производительности, когда эта деталь используется в приложениях, разработанных за пределами этих частот.
Особенности:
- Усовершенствованный GaN на SiC, обеспечивающий высокую плотность мощности.
- Пропускная способность в течение десяти лет.
- Вход согласован для расширенной широкополосной работы.
- Высокая надежность: >, КСВН 10:1.
Типичные применения:
- Идеально подходят для применения в военных целях, включая следующее:
- Узкополосные и многооктавные широкополосные усилители
- Радары
- Гаммеры
- Испытания на электромагнитную совместимость
- Также подходят для коммерческого применения, включая следующее:
- Общественные мобильные радиостанции, включая радиостанции экстренных служб
- Промышленность, наука и медицина.
- Широкополосные лабораторные усилители.
- Беспроводная сотовая инфраструктура.
Технические характеристики
| Номер детали: MMRF5017HSR5 |
| Производитель: NXP |
| Мин. частота: 0,03 ГГц |
| Макс. частота: 2,2 ГГц |
| Выходная мощность: 125 Вт |
| % Типовой КПД: 59.1 |
| Напряжение питания: 50 В |
| Упаковка: SOT1828-1 |
| Процесс: GaN |
| Тип: Силовые ВЧ-транзисторы |
