Особенности:
- Усовершенствованный GaN на SiC, обеспечивающий высокую плотность мощности.
- Подходит для широкополосных усилителей с октавной и декадной полосой пропускания.
- Вход согласован для расширенной Широкополосная производительность.
- Высокая надежность: КСВН 20:1.
- Низкое термическое сопротивление.
- Широкополосная опорная схема на 200–2500 МГц.
Типичные области применения:
- Идеально подходят для военного применения, включая следующие:
- Узкополосные и многооктавные широкополосные усилители
- Радар
- Гаммеры
- Испытание на электромагнитную совместимость
- Также подходит для коммерческого применения, включая следующее:
- Общественные мобильные радиостанции , включая радиостанции экстренных служб.
- Промышленные, научные и медицинские устройства.
- Широкополосные лабораторные усилители высокой мощности.
- Беспроводная сотовая инфраструктура.
Технические характеристики
| Номер детали: MMRF5014HR5 |
| Производитель: NXP |
| Мин. частота: 0,001 ГГц |
| Макс. частота: 2,7 ГГц |
| Выходная мощность: 125 Вт |
| Усиление: 16 дБ |
| % Типовой КПД: 64,2 |
| Напряжение питания: 50 В |
| Пакет: SOT1791 |
| Процесс: GaN |
| Тип: силовые высокочастотные дискретные транзисторы |
